o GaN 전력반도체 시장 규모는 2019년 현재 약$80M (1000억원)으로 향후 전기 자동차 (EV/HEV)등의 GaN 기반 전력 소자의 수요 증가로 인해 2023년경에 약 $450M(5000억원) 규모로 확대가 예상됨. o 본 기술이전의 목적은 GaN 에피소재의 대면적화에 필요한 Crack-free 에피성장 기술을 이용하여 대면적 GaN 에피소재의 개발을 진행하고 고전류 GaN 전력반도체의 고방열 패키징 적용을 통해 소자의 성능을 향상시키는 목적을 가짐. o 이를 통해 현재 선진국을 중심으로 집중적으로 연구되고 있는 GaN 전력 소자용 기판 분야에 국산화에 대한 기반을 구축하여, 향후 신시장 개척 및 매출 확대를 목표로 함.